Phase-change memory
Phase-change memory, kallas Àven för PCM, PRAM, PCRAM, Ovonic Unified Memory, Chalcogenide RAM och C-RAM, och Àr en datorminnestyp som anvÀnder sig av mineralglas för permanent lagring av information. PCM anvÀnder sig av kalkogenglasets unika egenskaper, som kan smÀltas till olika strukturer, kristallin och amorf struktur med hjÀlp av vÀrme.[1] PCM Àr en av flera datalagringstyper som försöker utmana befintliga tekniker för icke-flyktiga datorminnen, exempelvis det idag nÀstintill universella flashminnet.
Denna typ av minne förvÀntas vara effektivt att tillverka och utrymmessnÄlt, vilket ger billiga minnen. Precis som flashminnet sÄ behÄller det data Àven vid strömbortfall. Det uppges ocksÄ vara lika snabbt som vanligt DRAM-baserat arbetsminne, delvis beroende pÄ att det till skillnad frÄn flash inte krÀver radering av minnesblock innan ny data kan skrivas.
TillÀmpad teknik
[redigera | redigera wikitext]PCM skiljer sig grundlĂ€ggande frĂ„n RAM som lagrar data med hjĂ€lp av elektroner, istĂ€llet lagras informationen fysiskt med hjĂ€lp av materialets struktur och placering av atomer. Med denna teknik Ă€r det möjligt att konstruera vĂ€ldigt kompakta minnesceller, samtidigt som de Ă€r mycket stabila. Informationen lagras med hjĂ€lp av materialets struktur, dĂ€r den kristallina strukturen motsvarar en digital bit med vĂ€rdet 1 och amorf struktur motsvarar vĂ€rdet 0. Skillnaden mellan dessa system Ă€r att den kristallina strukturen leder ström, vilket den amorfa inte gör. För att materialet ska skifta struktur mĂ„ste det vĂ€rmas upp till 600â700 grader celsius.[1]
Bakgrund
[redigera | redigera wikitext]Stanford R. Ovshinsky, en av grundarna för Energy Conversion Devices var en av de första att utforska egenskaperna av kalkogenglaserna som en potentiell datalagringstyp.[2]
Tidslinje
[redigera | redigera wikitext]- 1966 September: Stanford R. Ovshinsky registrerar första patentet för phase change teknologi.
- 2006 December: IBM Research Labs demonstrerade en prototyp med storleken 3 gÄnger 20 nanometer.[3]
- 2007 April: Intels teknologiansvarige Justin Rattner redo för deras första allmÀnna demonstration av företagets PRAM (phase-change RAM) teknologi.[4]
- 2009 Oktober: Intel och Numonyx meddelar att de har lyckats tillverka minneskretsar i flera lager.[1]
- 2009 December: Numonyx presenterar 1Gb 45 nm produkt[5]
- 2010 April: Numonyx slÀpper PCM pÄ marknaden.[6]
- 2010 April: Samsung slÀpper ett 512 Mbit PCM pÄ 65 nm.[7]
Referenser
[redigera | redigera wikitext]- 1 2 3 Illustrerad Vetenskap, nr. 7/2010, sid 34-35
- â âStanford R. Ovshinsky Bioâ. Lawrence Technological University. Arkiverad frĂ„n originalet den 14 juni 2010. https://web.archive.org/web/20100614064229/https://www.ltu.edu/sustain/ovshinsky_bio.asp.
- â âPhase Change to Replace Flash?â. UTV New Media Ltd. 11 december 2006. Arkiverad frĂ„n originalet den 27 september 2007. https://web.archive.org/web/20070927213502/http://www.techtree.com/India/News/Phase_Change_Memory_to_Replace_Flash/551-77782-581.html.
- â Techworld.com â Intel set for first public demo of PRAM
- â âNumonyx to Present Phase Change Memory Research Results at Leading Technology Industry Conferenceâ. Arkiverad frĂ„n originalet den 6 februari 2010. https://web.archive.org/web/20100206205745/http://www.numonyx.com/en-US/About/PressRoom/Releases/Pages/PCMResearchResults.aspx. LĂ€st 29 april 2010.
- â Numonyx new PCM devices Arkiverad 25 april 2010 hĂ€mtat frĂ„n the Wayback Machine.
- â âSamsung Ships Industryâs First Multi-chip Package with a PRAM Chip for Handsetsâ. Samsung Electronics Co., Ltd. 28 april 2010. Arkiverad frĂ„n originalet den 21 augusti 2010. https://web.archive.org/web/20100821115849/http://www.samsung.com/us/aboutsamsung/news/newsIrRead.do?news_ctgry=irnewsrelease&page=1&news_seq=18828&rdoPeriod=ALL&from_dt=&to_dt=&search_keyword=.
Externa lÀnkar
[redigera | redigera wikitext]
| ||||||||||||||||||||
